SAN JOSE — Firma Samsung Electronics Co. zamierza w ciągu roku uruchomić usługi pakowania trójwymiarowego (3D) dla pamięci o dużej przepustowości (HBM). Według źródeł w firmie i branży technologia ta ma zostać wprowadzona w szóstej generacji modelu HBM4, chipa ze sztuczną inteligencją, który ma pojawić się w 2025 roku.
20 czerwca największy na świecie producent układów pamięci zaprezentował podczas Samsung Foundry Forum 2024 w San Jose w Kalifornii swoją najnowszą technologię pakowania układów scalonych oraz plany rozwoju usług.
To był pierwszy raz, kiedy Samsung zaprezentował publicznie technologię pakowania 3D dla układów HBM. Obecnie układy HBM są pakowane głównie w technologii 2.5D.
Stało się to około dwa tygodnie po tym, jak współzałożyciel i prezes firmy Nvidia, Jensen Huang, podczas przemówienia na Tajwanie zaprezentował nową generację architektury swojej platformy AI Rubin.
Technologia HBM4 najprawdopodobniej zostanie wbudowana w nowy model procesora graficznego Rubin firmy Nvidia, który ma trafić na rynek w 2026 roku.
POŁĄCZENIE PIONOWE
Najnowsza technologia firmy Samsung opiera się na ułożeniu układów HBM pionowo na procesorze graficznym, co jeszcze bardziej przyspiesza uczenie się danych i przetwarzanie wniosków. Technologia ta jest uważana za przełomową na szybko rozwijającym się rynku układów AI.
Obecnie układy HBM są połączone poziomo z procesorem graficznym na przekładce krzemowej w technologii obudowy 2.5D.
Dla porównania, pakowanie 3D nie wymaga krzemowego interposera ani cienkiego podłoża umieszczonego między chipami, aby umożliwić im komunikację i współpracę. Samsung nazywa swoją nową technologię pakowania SAINT-D, co jest skrótem od Samsung Advanced Interconnection Technology-D.
USŁUGA POD KLUCZ
Firma z Korei Południowej ma oferować opakowania 3D HBM w formule „pod klucz”.
Aby to osiągnąć, zespół ds. zaawansowanych rozwiązań w zakresie pakowania będzie łączył ze sobą w pionie układy scalone HBM produkowane w dziale pamięci z procesorami graficznymi montowanymi dla firm fabless przez jego odlewnię.
„Opakowania 3D zmniejszają zużycie energii i opóźnienia przetwarzania, poprawiając jakość sygnałów elektrycznych układów półprzewodnikowych” – powiedział przedstawiciel Samsung Electronics. W 2027 roku Samsung planuje wprowadzić technologię integracji heterogenicznej typu „wszystko w jednym”, która łączy elementy optyczne, radykalnie zwiększające prędkość transmisji danych półprzewodników, tworząc jeden zunifikowany pakiet akceleratorów AI.
Według TrendForce, tajwańskiej firmy badawczej, szacuje się, że w 2025 r. HBM będzie stanowiło 30% rynku pamięci DRAM, w porównaniu z 21% w 2024 r., co odpowiada rosnącemu zapotrzebowaniu na energooszczędne układy o wysokiej wydajności.
Według prognoz MGI Research wartość rynku zaawansowanych opakowań, w tym opakowań 3D, wzrośnie do 80 miliardów dolarów do 2032 r., w porównaniu z 34,5 miliardami dolarów w 2023 r.
Czas publikacji: 10 czerwca 2024 r.